Teknologi Persiapan Substrat Karbida Silikon

Teknologi penyiapan substrat silikon karbida meliputi metode PVT (metode pengangkutan uap fisik), metode larutan, dan metode pengendapan kimia uap suhu tinggi. Saat ini, pertumbuhan kristal tunggal silikon karbida komersial menggunakan metode PVT. Substrat silikon karbida menggunakan bubuk karbon dengan kemurnian tinggi dan bubuk silikon dengan kemurnian tinggi sebagai bahan baku untuk mensintesis bubuk silikon karbida. Di bawah bidang suhu khusus, metode transmisi uap fisik yang matang (metode PVT) digunakan untuk menumbuhkan ingot silikon karbida dengan berbagai ukuran dan menjalani pemrosesan elektrostatik. , pemotongan ingot kristal, penggilingan wafer, pemolesan dan pembersihan, dll. dibuat melalui berbagai prosedur pemrosesan.